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IRG4BC20U中文资料PDF规格书

IRG4BC20U
厂商型号

IRG4BC20U

参数属性

IRG4BC20U 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 13A 60W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

文件大小

167.82 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-27 18:32:00

IRG4BC20U规格书详情

Features

• UltraFast: optimized for high operating

frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200

kHz in resonant mode

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

• Industry standard TO-220AB package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

• IGBTs optimized for specified application conditions

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBTs

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC20U

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,6.5A

  • 开关能量:

    100µJ(开),120µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    21ns/86ns

  • 测试条件:

    480V,6.5A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 13A 60W TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
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