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IRG4BC20KD-SPBF中文资料PDF规格书

IRG4BC20KD-SPBF
厂商型号

IRG4BC20KD-SPBF

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE

文件大小

364.28 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-1 15:18:00

IRG4BC20KD-SPBF规格书详情

Features

• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry standard D2Pak package

• Lead-Free

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible.

•HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.

•This part replaces the IRGBC20KD2-S and IRGBC20MD2-S products.

• For hints see design tip 97003.

产品属性

  • 型号:

    IRG4BC20KD-SPBF

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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