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IRG4BC20FD中文资料PDF规格书
厂商型号 |
IRG4BC20FD |
参数属性 | IRG4BC20FD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 16A 60W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
文件大小 |
222.29 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-1 15:00:00 |
IRG4BC20FD规格书详情
Features
• Fast: optimized for medium operating frequencies
( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution
and higher efficiency than Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery
anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard TO-220AB package
Benefits
• Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs.
Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC20FD
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,9A
- 开关能量:
250µJ(开),640µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
43ns/240ns
- 测试条件:
480V,9A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-220AB |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IR |
TO-220 |
68900 |
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询价 | |||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
询价 | |||
IR |
08+(pbfree) |
TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-220AB |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
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询价 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
32350 |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
99+ |
TO-220 |
110 |
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IR |
23+ |
TO-220AB |
8600 |
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