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IRG4BC20FD-STRL分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IRG4BC20FD-STRL |
参数属性 | IRG4BC20FD-STRL 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 16A 60W D2PAK |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
222.11 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF |
中文名称 | International Rectifier官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-4 11:53:00 |
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IRG4BC20FD-STRL规格书详情
Features
• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard D2Pak package
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC20FD-STRL
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,9A
- 开关能量:
250µJ(开),640µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
43ns/240ns
- 测试条件:
480V,9A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
D2PAK
- 描述:
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
2400 |
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询价 | ||
IFA |
2447 |
SMD |
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Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
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IR |
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TO-263 |
50000 |
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IR |
24+ |
TO-220AB |
205 |
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Infineon |
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N/A |
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IR |
1106+ |
TO220 |
6900 |
普通 |
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Infineon |
22+ |
NA |
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Infineon |
24+ |
NA |
3557 |
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IR |
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TO-263 |
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