IRG4BC20F中文资料PDF规格书
厂商型号 |
IRG4BC20F |
参数属性 | IRG4BC20F 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 16A 60W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
文件大小 |
161.56 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-30 22:30:00 |
IRG4BC20F规格书详情
Features
• Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
• Industry standard TO-220AB package
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC20F
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,9A
- 开关能量:
70µJ(开),600µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
24ns/190ns
- 测试条件:
480V,9A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO-220 |
8000 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
TO-2 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
TO-220 |
68900 |
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询价 | |||
IR |
05+ |
TO-220 |
495 |
询价 | |||
IR/International Rectifier/国 |
21+ |
TO-220 |
1448 |
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IR |
2015+ |
SOP/DIP |
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询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
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IR |
1950+ |
TO-220 |
9852 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
NA/ |
495 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
1305+ |
TO-220 |
12000 |
公司特价原装现货 |
询价 |