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IRG4BC20FD-S分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4BC20FD-S
厂商型号

IRG4BC20FD-S

参数属性

IRG4BC20FD-S 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 16A 60W D2PAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

222.11 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 11:08:00

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IRG4BC20FD-S规格书详情

Features

• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry standard D2Pak package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

• IGBTs optimized for specific application conditions

• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC20FD-S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,9A

  • 开关能量:

    250µJ(开),640µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    43ns/240ns

  • 测试条件:

    480V,9A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 16A 60W D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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