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IRG4BC20KD-S中文资料PDF规格书

IRG4BC20KD-S
厂商型号

IRG4BC20KD-S

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

文件大小

222.96 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-1 12:00:00

IRG4BC20KD-S规格书详情

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features

• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry standard D2Pak package

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible.

• HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.

• This part replaces the IRGBC20KD2-S and IRGBC20MD2-S products.

• For hints see design tip 97003.

产品属性

  • 型号:

    IRG4BC20KD-S

  • 功能描述:

    IGBT UFAST 600V 16A D2PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    30

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 类型:

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开):

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    200A 功率 -

  • 最大:

    830W

  • 输入类型:

    标准

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商设备封装:

    PLUS247?-3

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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