IRG4BC20KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号	IRG4BC20KD
参数属性	IRG4BC20KD 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB
功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
封装外壳	TO-220-3
文件大小	199.06 Kbytes
页面数量	10 页
生产厂商	IRF
网址	网址
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更新时间	2025-10-11 23:00:00
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

特性 Features

•Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short

Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE= 15V

•Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than

previous generation

•IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

•Industry standard TO-220AB package

Benefits

•Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

•HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

•This part replaces the IRGBC20KD2 and IRGBC20MD2 products

•For hints see design tip 97003

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