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IRG4BC20KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4BC20KD
厂商型号

IRG4BC20KD

参数属性

IRG4BC20KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 16A 60W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

封装外壳

TO-220-3

文件大小

199.06 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 17:22:00

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IRG4BC20KD规格书详情

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features

•Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short

Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE= 15V

•Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than

previous generation

•IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

•Industry standard TO-220AB package

Benefits

•Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

•HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

•This part replaces the IRGBC20KD2 and IRGBC20MD2 products

•For hints see design tip 97003

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC20KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,9A

  • 开关能量:

    340µJ(开),300µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    54ns/180ns

  • 测试条件:

    480V,9A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 16A 60W TO220AB

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