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IRG4BC20KD	文件：199.06 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShort CircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhi	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC20KDPBF	文件：319.73 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedfor highoperatingfrequencies>5.0kHz,andShort CircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXF	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KDS	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KD-S	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KD-S	文件：402.59 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Verytightparameterdistribution ·LowVCEsat ·LowEMI APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·Inductivecooking ·Softswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRG4BC20KD-SPBF	文件：364.28 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KDPBF	文件：320.69 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAGAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KDPBF_15	文件：320.69 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAGAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC20KD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，9A
开关能量：
340µJ（开），300µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
54ns/180ns
测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 16A 60W TO220AB

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