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IRG4BC20KD	文件：199.06 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE= 15V •Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and hi 文件：199.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20KDPBF	文件：319.73 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10μs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation • IGBT co-packaged with HEXF 文件：319.73 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20KDS	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous gene 文件：222.96 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20KD-S	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous gene 文件：222.96 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20KD-S	文件：402.59 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION · Very tight parameter distribution · LowVCEsat · Low EMI APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Inductivecooking · Softswitchingapplications 文件：402.59 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRG4BC20KD-SPBF	文件：364.28 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul 文件：364.28 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20KD-STRLP	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous gene 文件：222.96 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20KDPBF	文件：320.69 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAGAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：320.69 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20KDPBF_15	文件：320.69 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAGAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：320.69 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 超快 8-25 kHz Copack IGBT，采用 TO-220AB 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC20KD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，9A
开关能量：
340µJ（开），300µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
54ns/180ns
测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 16A 60W TO220AB

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