| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
160 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRTO220 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
24052 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
6250 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO220 |
6 |
05+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
9852 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
28000 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IORTO220 |
7800 |
23+ |
全新原装正品,现货销售 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
4250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
35890 |
23+ |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
4200 |
23+ |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
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IRG4BC20KDPBF价格
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IRG4BC20KD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC20KD功能描述:IGBT UFAST 600V 16A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC20KDS制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KD-S功能描述:IGBT UFAST 600V 16A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20KD-SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC20KDSTRLP功能描述:IGBT 模块 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRG4BC20KD-STRLP制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT COPAK D2-PAK
IRG4BC20KD-STRR功能描述:IGBT UFAST 600V 16A RIGHT D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20KDSTRRP功能描述:IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC20KD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，9A
- 开关能量：
340µJ（开），300µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
54ns/180ns
- 测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
