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IRG4BC20K-S分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4BC20K-S |
| 参数属性 | IRG4BC20K-S 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
162.34 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-5 22:30:00 |
| 人工找货 | IRG4BC20K-S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4BC20K-S规格书详情
Features
• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high switching speed
• Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
Benefits
• As a Freewheeling Diode we recommend our HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for minimum EMI / Noise and switching losses in the Diode and IGBT
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
• This part replaces the IRGBC20K-S and IRGBC20M-S devices
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC20K-S
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，9A
- 开关能量：
150µJ（开），250µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/150ns
- 测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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TO-263 |
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D2-PAK |
50000 |
原装现货 |
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