IRG4BC20K-S资料使用说明书贸易商英飞凌IRF-114ic电子网

首页 >IRG4BC20K-S>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
IRG4BC20K-S	文件：162.34 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20K-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4BC20K-SPBF	文件：298.04 Kbytes Page：9 Pages	Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20K-STRLP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4BC20K-STRRP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4BC20F	文件：161.56 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FD	文件：222.29 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recovery	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FDPBF	文件：318.04 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FDPBF	文件：319.01 Kbytes Page：11 Pages	OPTIMIZEDFORMEDIUMOPERATING	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FD-S	文件：222.11 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FD-SPBF	文件：298.44 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEFastCoPackIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FD-STRL	文件：222.11 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FPBF	文件：204.95 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benef	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FPBF	文件：204.95 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20K	文件：138.37 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KD	文件：199.06 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShort CircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KDPBF	文件：320.69 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAGASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KDPBF	文件：319.73 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedfor highoperatingfrequencies>5.0kHz,andShort CircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXF	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

12 3 4 >>>

产品属性

产品编号：
IRG4BC20K-S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，9A
开关能量：
150µJ（开），250µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/150ns
测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT 600V 16A 60W D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IRG4BC20K-S	IR/VISHAY	23+	TO-263	12300	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市深创辉科技有限公司	IRG4BC20K-S	IR	2008+		5250	原装正品现货供应	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	IRG4BC20K-S	IR	13+	TO-263	9188	原装分销	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRG4BC20K-S	IR	23+	TO-263	35890		询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRG4BC20K-S	IR	23+	原厂原装	4000	全新原装	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IRG4BC20K-S	IR	2017+	TO263	35689	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	IRG4BC20K-S	IR	2018+	TO263	6528	只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRG4BC20K-S	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	IRG4BC20K-S		23+	N/A	89950	正品授权货源可靠	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRG4BC20K-S	IR	2020+	D2-PAK	16800	绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?	询价

更多IRG4BC20K-S供应商更新时间2024-4-28 15:30:00

产品属性

相关规格书

相关库存