IRG4BC20K-STRRP规格书应用电路批发供应-114ic电子网

首页 >IRG4BC20K-STRRP>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
IRG4BC20K-STRRP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4BC20F	文件：161.56 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FD	文件：222.29 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recovery	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FDPBF	文件：318.04 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FDPBF	文件：319.01 Kbytes Page：11 Pages	OPTIMIZEDFORMEDIUMOPERATING	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FD-S	文件：222.11 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FD-SPBF	文件：298.44 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEFastCoPackIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FD-STRL	文件：222.11 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FPBF	文件：204.95 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benef	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20FPBF	文件：204.95 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20K	文件：138.37 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KD	文件：199.06 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShort CircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KDPBF	文件：319.73 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedfor highoperatingfrequencies>5.0kHz,andShort CircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXF	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KDPBF	文件：320.69 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAGASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KDS	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KD-S	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KD-SPBF	文件：364.28 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULRTAFASTSOFRRECOVERYDIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KS	文件：162.34 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

12 3 >>>

产品属性

产品编号：
IRG4BC20K-STRRP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，9A
开关能量：
150µJ（开），250µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/150ns
测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT 600V 16A 60W D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科恒伟业电子有限公司	IRG4BC20K-STRRP	IR	2016+	TO-263	6528	房间原装进口现货假一赔十	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRG4BC20K-STRRP	IR	23+	TO-263	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	IRG4BC20K-STRRP		23+	N/A	90050	正品授权货源可靠	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	IRG4BC20K-STRRP	IR	2020+	TO-263	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	IRG4BC20K-STRRP	Infineon Technologies	21+	D2PAK	800	100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!	询价
深圳市科雨电子有限公司	IRG4BC20K-STRRP	INFINEON	1503+	TO-263	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	IRG4BC20K-STRRP	IR		TO-263	265209	假一罚十原包原标签常备现货!	询价
深圳市振芯物联科技有限公司	IRG4BC20K-STRRP	IR	22+	TO-263	32350	原装正品假一罚十公司现货	询价
深圳市易讯博科技有限公司	IRG4BC20K-STRRP	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRG4BC20K-STRRP	IR	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多IRG4BC20K-STRRP供应商更新时间2024-4-30 17:03:00

产品属性

相关规格书

相关库存