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IRG4BC20KD-S	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KD-S	文件：402.59 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Verytightparameterdistribution ·LowVCEsat ·LowEMI APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·Inductivecooking ·Softswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRG4BC20KD-SPBF	文件：364.28 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KD-STRLP	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KS	文件：162.34 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20K-S	文件：162.34 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20K-SPBF	文件：298.04 Kbytes Page：9 Pages	ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MD	文件：251.74 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforinterme	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MDPBF	文件：296.44 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermed	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MDS	文件：200.72 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardD2Pakpackage Benefits •Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermediateapplication	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRG4BC20KD-S
功能描述：
IGBT UFAST 600V 16A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列：
-
标准包装：
30
系列：
GenX3™ IGBT
类型：
PT 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
1200V Vge,
Ic时的最大Vce（开）：
3V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
200A 功率 -
最大：
830W
输入类型：
标准
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商设备封装：
PLUS247?-3
包装：
管件

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