IRG4BC20KD-S数据手册批发采购无锡固电IRF-114ic电子网

首页 >IRG4BC20KD-S>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRG4BC20KD-S	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous gene 文件：222.96 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20KD-S	文件：402.59 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION · Very tight parameter distribution · LowVCEsat · Low EMI APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Inductivecooking · Softswitchingapplications 文件：402.59 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRG4BC20KD-SPBF	文件：364.28 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul 文件：364.28 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20KD-STRLP	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous gene 文件：222.96 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20KD-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package 600V IGBT 与 8-25 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 D2-Pak 封装中 • 对电机控制的高短路额定值进行了优化，tsc =10µs, @360V VCE（启动），TJ=125°C, VGE=15V\n• 相较于前代，参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• 4 IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降至最低;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
9.0A
IC(@25°) max：
16.0A
ICpuls max：
32.0A
Ptot max：
60.0W
VCE(sat) ：
2.27V
Eon ：
0.34mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.3mJ
td(on) ：
54.0ns
tr ：
34.0ns
td(off) ：
180.0ns
tf ：
72.0ns
QGate ：
34.0nC
IF max：
32.0A
VF ：
1.4V
Qrr ：
65.0nC
Irrm ：
3.5A
Ets (max)：
0.64mJ (0.96mJ)
Moisture Sensitivity Level ：
1
VCE max：
600.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金嘉锐电子有限公司	IRG4BC20KD-S	IR	2025+	TO-263-3	32560	原装优势绝对有货	询价
深圳市星佑电子有限公司	IRG4BC20KD-S	INTERNATIONA	05+	原厂原装	7111	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRG4BC20KD-S	IR	1415+	TO-263	28500	全新原装正品,优势热卖	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRG4BC20KD-S	IR	24+	TO263	65200	一级代理/放心采购	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRG4BC20KD-S	IR	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市科雨电子有限公司	IRG4BC20KD-S	INFINEON	25+	TO-263	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IRG4BC20KD-S	原装	1923+	TO263	8900	公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询	询价
深圳市易讯博科技有限公司	IRG4BC20KD-S	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRG4BC20KD-S	IR	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRG4BC20KD-S	IR	21+	TO-263	10000	原装现货假一罚十	询价

更多IRG4BC20KD-S供应商更新时间2025-10-9 11:00:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号