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IRG4BC30FD	文件：412.64 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-s 文件：412.64 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD	文件：387.93 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION · Low VCE(ON) and Switching Losses · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Welding · PFC 文件：387.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRG4BC30FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD1	文件：361.71 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Fast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：361.71 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD1PBF	文件：421.57 Kbytes Page：11 Pages	Fast CoPack IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra lo 文件：421.57 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FDPBF	文件：3.17753 Mbytes Page：11 Pages	Fast CoPack 1GBT ( VCES = 600V , VCE(on)typ. = 1.59V , VGE = 15V , IC = 17A ) Fast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than 文件：3.17753 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD-S	文件：1.25649 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra l 文件：1.25649 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD-SPBF	文件：1.17757 Mbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter . parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra 文件：1.17757 Mbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD1PBF	文件：415.83 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：415.83 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD1PBF_15	文件：415.83 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：415.83 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
1.0kHz 8.0kHz
Package ：
TO-220
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
17.0A
IC(@25°) max：
31.0A
ICpuls max：
124.0A
Ptot max：
100.0W
VCE(sat) ：
1.59V
Eon ：
0.63mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.39mJ
td(on) ：
42.0ns
tr ：
26.0ns
td(off) ：
230.0ns
tf ：
160.0ns
QGate ：
51.0nC
IF max：
120.0A
VF ：
1.4V
Qrr ：
80.0nC
Irrm ：
3.5A
Ets (max)：
2.02mJ (3.9mJ)
VCE max：
600.0V

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