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IRG4BC30FD1	文件：361.71 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Fast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：361.71 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD1	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 快速 1-5 kHz 硬开关Copack IGBT，采用 TO-220AB 封装， >20kHz 谐振模式	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC30FD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC30FD1PBF	文件：421.57 Kbytes Page：11 Pages	Fast CoPack IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra lo 文件：421.57 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD1PBF	文件：415.83 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：415.83 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD1PBF_15	文件：415.83 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：415.83 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD1PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC30FD1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
开关能量：
370µJ（开），1.42mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/250ns
测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 31A 100W TO220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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