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IRG4BC30FD1	文件：361.71 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE FastCoPackIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	600V 快速 1-5 kHz 硬开关Copack IGBT，采用 TO-220AB 封装， >20kHz 谐振模式;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC30FD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC30FD1PBF	文件：421.57 Kbytes Page：11 Pages	Fast CoPack IGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultralo	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD1PBF	文件：415.83 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD1PBF_15	文件：415.83 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD1PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC30FD1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
开关能量：
370µJ（开），1.42mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/250ns
测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 31A 100W TO220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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