INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

文件：1.21922 Mbytes 页数：11 Pages

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

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IRF

600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package

600V IGBT 与快速 1-8 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-220AB 封装中。 • 对中等工作频率进行了优化\n• 参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT，在桥配置中使用\n• 行业标准 TO-220AB 封装\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可实现的出色效率\n• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT\n• HEXFRED 二极管与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化，对缓冲的要求更少甚至不需要。\n• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT;

Infineon

英飞凌

600V HyperFast 1-8 kHz Co-Pack IGBT in a D2-Pak package

600V IGBT 与 hyperfast 1-8 kHz 二极管联合封装到 D2-Pak 封装中 • 对中等工作频率进行了优化\n• 参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可实现的出色效率\n• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT\n• HEXFRED 二极管与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化，对缓冲的要求更少甚至不需要。\n• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT;

Infineon

英飞凌

600V 快速 1-5 kHz 硬开关Copack IGBT，采用 TO-220AB 封装， >20kHz 谐振模式

Infineon

英飞凌

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB

INFINEON

英飞凌

Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB

INFINEON

英飞凌

Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB

INFINEON

英飞凌