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IRG4BC30FD-SPBF	文件：1.17757 Mbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter. parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. •IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultra	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC30FD-SPBF	文件：1.21922 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC30FD-SPBF_15	文件：1.21922 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRG4BC30S-S	文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRG4BC30S-SL	文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRG4BC30U-S	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRG4BC30U-SL	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRG4BC30USTRL	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRG4BC30USTRR	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
G4BC30KD	文件：196.13 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
G4BC30UD	文件：234.03 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
G4BC30W	文件：139.38 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesign	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
G4BC30W	文件：275.6 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
G4BC30W	文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC30	文件：137.95 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC30	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Generation4IGBTsoff	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC30	文件：412.64 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC30F	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Generation4IGBTsoff	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC30F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC30F	文件：177.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IRG4BC30FD-SPBF
功能描述：
IGBT 晶体管 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多IRG4BC30FD-SPBF供应商更新时间2024-4-23 13:40:00

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