| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
15000 |
23+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220 |
8000 |
2017+ |
原装正品现货,可开13点税 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
17138 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
12000 |
1305+ |
公司特价原装现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IR原厂原装 |
3000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
35890 |
23+ |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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INTERNATIONA原厂原装 |
4266 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-220AB |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
IRG4BC30S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4BC30S图片
IRG4BC30SPBF价格
IRG4BC30SPBF价格：￥6.1518品牌：International
生产厂家品牌为International的IRG4BC30SPBF多少钱，想知道IRG4BC30SPBF价格是多少？参考价：￥6.1518。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4BC30SPBF批发价格及采购报价，IRG4BC30SPBF销售排行榜及行情走势，IRG4BC30SPBF报价。
IRG4BC30S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC30S功能描述:IGBT STD 600V 34A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC30SD制造商:International Rectifier 功能描述:600V 34.000A COPAK TO-220 / IGBT : JA /
IRG4BC30SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ(STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC30SS制造商:International Rectifier
IRG4BC30S-S功能描述:DIODE IGBT 600V 34A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC30SS_04制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4BC30S-S_04制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4BC30S-SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC30S-STRL功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
IRG4BC30S-STRLP功能描述:IGBT 模块 600V DC-1 KHZ(STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC30S
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 15V，18A
- 开关能量：
260µJ（开），3.45mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/540ns
- 测试条件：
480V，18A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 34A 100W TO220AB
