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IRG4BC30S-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

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IRF

IRG4BC30S-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

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IRF

IRG4BC30S-S_04

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

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IRF

IRG4BC30S-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT

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IRF

IRG4BC30S-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRG4BC30S-S

  • 功能描述:

    DIODE IGBT 600V 34A D2PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    30

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 类型:

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开):

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    200A 功率 -

  • 最大:

    830W

  • 输入类型:

    标准

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商设备封装:

    PLUS247?-3

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
2021+
TO-263
9000
原装现货,随时欢迎询价
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IR
05+
原厂原装
851
只做全新原装真实现货供应
询价
IR
24+/25+
1600
原装正品现货库存价优
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IR
24+
原厂封装
137
原装现货假一罚十
询价
IR
17+
TO-263
6200
100%原装正品现货
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24+
TO-263
5000
只做原装公司现货
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20+
TO-263
15800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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24+
65230
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INFINEON
25+
TO-263
3000
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Infineon
22+
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更多IRG4BC30S-S供应商 更新时间2025-12-13 9:31:00