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IRG4BC30KD-S	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul 文件：225.23 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：350.48 Kbytes Page：10 Pages	INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul 文件：350.48 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-STRR	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul 文件：225.23 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE 文件：376.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-SPBF_15	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE 文件：376.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package 600V IGBT 与 8-25 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 D2-Pak 封装中 • 对电机控制的高短路额定值进行了优化，tsc =10µs, @360V VCE（启动），TJ=125°C, VGE=15V\n• 低通态损耗与高开关速度相结合\n• 相较于前代，参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降至最低;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
16.0A
IC(@25°) max：
28.0A
ICpuls max：
56.0A
Ptot max：
100.0W
VCE(sat) ：
2.21V
Eon ：
0.6mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.58mJ
td(on) ：
60.0ns
tr ：
42.0ns
td(off) ：
160.0ns
tf ：
80.0ns
QGate ：
67.0nC
IF max：
58.0A
VF ：
1.4V
Qrr ：
80.0nC
Irrm ：
3.5A
Ets (max)：
1.18mJ (1.6mJ)
Moisture Sensitivity Level ：
1
VCE max：
600.0V

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