首页>IRG4BC30FD1>规格书详情
IRG4BC30FD1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
IRG4BC30FD1 |
| 参数属性 | IRG4BC30FD1 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
361.71 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 17:20:00 |
| 人工找货 | IRG4BC30FD1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4BC30FD1规格书详情
Fast CoPack IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC30FD1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.8V @ 15V,17A
- 开关能量:
370µJ(开),1.42mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
22ns/250ns
- 测试条件:
480V,17A,23 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
25+ |
TO-220-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
43250 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |

