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IRG4BC30FD1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4BC30FD1 |
| 参数属性 | IRG4BC30FD1 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
361.71 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 18:03:00 |
| 人工找货 | IRG4BC30FD1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4BC30FD1规格书详情
Fast CoPack IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC30FD1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
- 开关能量：
370µJ（开），1.42mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/250ns
- 测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1922+ |
TO-220 |
253 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
43250 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-220AB |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
