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IRG4BC30F分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4BC30F
厂商型号

IRG4BC30F

参数属性

IRG4BC30F 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

封装外壳

TO-220-3

文件大小

167.27 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
IRF
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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IRG4BC30F规格书详情

特性 Features

• Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

• Industry standard TO-220AB package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

• IGBTs optimized for specified application conditions

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC30F

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,17A

  • 开关能量:

    230µJ(开),1.18mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    21ns/200ns

  • 测试条件:

    480V,17A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 31A 100W TO220AB

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