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IRG4BC30分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4BC30

厂商型号	IRG4BC30
参数属性	IRG4BC30 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB
功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
封装外壳	TO-220-3
文件大小	137.95 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	International Rectifier
企业简称	IRF
中文名称	International Rectifier官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-4 15:55:00
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IRG4BC30规格书详情

特性 Features

• High short circuit rating optimized for motor control,

tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,

VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high

switching speed

• Latest generation design provides tighter parameter

distribution and higher efficiency than previous

generations

Benefits

• As a Freewheeling Diode we recommend our

HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for

minimum EMI / Noise and switching losses in the

Diode and IGBT

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power

density motor controls possible

• This part replaces the IRGBC30K and IRGBC30M

devices

产品属性

产品编号：
IRG4BC30FD1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
开关能量：
370µJ（开），1.42mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/250ns
测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 31A 100W TO220AB

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