| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
|
 |
IRTO220 |
20000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
||
|
深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
|
 |
IRTO-263 |
6400 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
9986 |
20+ |
||||
|
深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
|
INFINEONTO-263 |
6400 |
15+ |
原装库存有订单来谈优势 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
IRTO-263 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
6400 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
6400 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEONTO-220 |
6000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
||||
|
深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
留言
|
20000 |
23+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
||||
|
深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
|
INFINEON/英飞凌to-220 |
1000 |
20+ |
进口原装支持含税 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
|
Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
18339 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
|||
|
深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
|
IRTO-263 |
6400 |
21+ |
全新、原装 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
|
IRTO-263-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
|||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
6400 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
|
Infineon To-220 |
9865 |
23+/24+ |
原装优势现货,用芯服务(fang) |
IRG4BC30K采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4BC30K图片
IRG4BC30KD-SPBF价格
IRG4BC30KD-SPBF价格：￥10.4994品牌：International
生产厂家品牌为International的IRG4BC30KD-SPBF多少钱，想知道IRG4BC30KD-SPBF价格是多少？参考价：￥10.4994。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4BC30KD-SPBF批发价格及采购报价，IRG4BC30KD-SPBF销售排行榜及行情走势，IRG4BC30KD-SPBF报价。
IRG4BC30KDPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC30K功能描述:IGBT UFAST 600V 28A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC30KD制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220
IRG4BC30KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC30KD-S制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT D2-PAK
IRG4BC30KD-SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 28A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRG4BC30KD-SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC30KD-STRL制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRG4BC30KDSTRLP功能描述:IGBT 模块 600V 23A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRG4BC30KD-STRR功能描述:IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC30KDSTRRP功能描述:IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC30K
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，16A
- 开关能量：
360µJ（开），510µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/130ns
- 测试条件：
480V，16A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 28A 100W TO220AB
