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IRG4BC30KPBF	文件：210.45 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR ShortCircuitRatedUltraFastIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KS	文件：161.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K-S	文件：161.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K-S	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K-SPBF	文件：271.3 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C VGE=15V •Conbineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidest	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S	文件：161.89 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A) Features •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30SPBF	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30SPBF	文件：288.11 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRG4BC30KDSTRRP
功能描述：
IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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