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IRG4BC20W-SPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4BC20W-SPBF
厂商型号

IRG4BC20W-SPBF

参数属性

IRG4BC20W-SPBF 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 13A 60W D2PAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

212.93 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
IRF
数据手册

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更新时间

2025-8-5 12:00:00

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IRG4BC20W-SPBF规格书详情

特性 Features

• Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications

• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

• 50 reduction of Eoff parameter

• Low IGBT conduction losses

• Latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability

• Lead-Free

Benefits

• Lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150kHz (hard switched mode)

• Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher

• Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >>300kHz)

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC20W-SPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,6.5A

  • 开关能量:

    60µJ(开),80µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    22ns/110ns

  • 测试条件:

    480V,6.5A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 13A 60W D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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