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|---|---|---|---|---|
IRG4BC20W-SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design and c 文件：212.93 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRG4BC20W-SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：268.51 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：268.51 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
IRG4BC20W-SPBF | Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 13A 60W D2PAK | INFINEON 英飞凌 | INFINEON |
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC20W-SPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，6.5A
- 开关能量：
60µJ（开），80µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/110ns
- 测试条件：
480V，6.5A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263-2 |
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