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IRG4BC40K	文件：156.96 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A) Features • Short Circuit Rated UltraFast: optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package Benefits • Generation 4 IGB 文件：156.96 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40K	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40KPBF	文件：574.4 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Short Circuit Rated UltraFast: optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package • Lead-Free Benefits • Gen 文件：574.4 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40KD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40KPBF	文件：284.89 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：284.89 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40KPBF_15	文件：284.89 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：284.89 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40K	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 超快 8-25 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC40K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 42A 160W TO220AB	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4BC40KPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 42A 160W TO220AB	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
IRG4BC40K
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，25A
开关能量：
620µJ（开），330µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/140ns
测试条件：
480V，25A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 42A 160W TO220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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