选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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400 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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400 |
13+ |
TO-220-3 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-220-3 |
400 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
568 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
12000 |
1305+ |
公司特价原装现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IR原厂原装 |
5000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
35890 |
23+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IRTO-220 |
3500 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-220 |
2002 |
05+ |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO-220 |
3816 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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ADIQFN-28 |
6000 |
2022+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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IRG4BC40K图片
IRG4BC40KPBF价格
IRG4BC40KPBF价格:¥9.2661品牌:Internation.Rectifer
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IRG4BC40K中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC40K功能描述:IGBT UFAST 600V 42A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC40KD制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BC40KPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC40K
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,25A
- 开关能量:
620µJ(开),330µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
30ns/140ns
- 测试条件:
480V,25A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 42A 160W TO220AB