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IRG4BC30W	文件：139.38 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A) Features •Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications •Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies •50 reduction of Eoff parameter •Low IGBT conduction losses •Latest-generation IGBT design 文件：139.38 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30W	文件：180.68 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50% reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design 文件：180.68 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC30WS	文件：188.51 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A) Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de 文件：188.51 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30W-S	文件：188.51 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A) Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de 文件：188.51 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30W-SPBF	文件：585.84 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT 文件：585.84 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30W_04	文件：582.54 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A) 文件：582.54 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30WPBF	文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：287.76 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30WPBF	文件：582.54 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A) 文件：582.54 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30WPBF_15	文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：287.76 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30W-SPBF	文件：275.6 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：275.6 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4BC30W
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，12A
开关能量：
130µJ（开），130µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/99ns
测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 23A 100W TO220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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