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IRG4BC30KD	文件：196.13 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations 文件：196.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KDPBF	文件：321.45 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packag 文件：321.45 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KDS	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul 文件：225.23 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-S	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul 文件：225.23 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：350.48 Kbytes Page：10 Pages	INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul 文件：350.48 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-STRR	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul 文件：225.23 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KDPBF	文件：347.44 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：347.44 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KDPBF_15	文件：347.44 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：347.44 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE 文件：376.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-SPBF_15	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE 文件：376.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-220
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
16.0A
IC(@25°) max：
28.0A
ICpuls max：
56.0A
Ptot max：
100.0W
VCE(sat) ：
2.21V
Eon ：
0.6mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.58mJ
td(on) ：
60.0ns
tr ：
42.0ns
td(off) ：
160.0ns
tf ：
80.0ns
QGate ：
67.0nC
IF max：
58.0A
VF ：
1.4V
Qrr ：
80.0nC
Irrm ：
3.5A
Ets (max)：
1.18mJ (1.6mJ)
VCE max：
600.0V

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