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IRG4BC30KD

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package

600V IGBT 与超快 8-25 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-220AB 封装中 • 对电机控制的高短路额定值优化,tsc =10µs, @360V VCE(启动),TJ=125°C, VGE=15V\n• 低通态损耗与高开关速度相结合\n• 相较于前代,参数分布更紧凑,效率更高\n• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化,将噪声、EMI 和开关损耗降至最低;

Infineon

英飞凌

IRG4BC30KD-S

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package

600V IGBT 与 8-25 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 D2-Pak 封装中 • 对电机控制的高短路额定值进行了优化,tsc =10µs, @360V VCE(启动),TJ=125°C, VGE=15V\n• 低通态损耗与高开关速度相结合\n• 相较于前代,参数分布更紧凑,效率更高\n• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化,将噪声、EMI 和开关损耗降至最低;

Infineon

英飞凌

IRG4BC30KDPBF

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 28A 100W TO220AB

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Technology :

    IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max:

    8.0kHz 30.0kHz

  • Package :

    TO-220

  • Voltage Class max:

    600.0V

  • IC(@100°) max:

    16.0A

  • IC(@25°) max:

    28.0A

  • ICpuls max:

    56.0A

  • Ptot max:

    100.0W

  • VCE(sat) :

    2.21V 

  • Eon :

    0.6mJ 

  • Eoff(Hard Switching) :

    0.58mJ 

  • td(on) :

    60.0ns 

  • tr :

    42.0ns 

  • td(off) :

    160.0ns 

  • tf :

    80.0ns 

  • QGate :

    67.0nC 

  • IF max:

    58.0A

  • VF :

    1.4V 

  • Qrr :

    80.0nC 

  • Irrm :

    3.5A 

  • Ets  (max):

    1.18mJ (1.6mJ)

  • VCE max:

    600.0V

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更多IRG4BC30KD供应商 更新时间2025-10-6 13:00:00