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IRG4BC30KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IRG4BC30KD

参数属性

IRG4BC30KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 28A 100W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

封装外壳

TO-220-3

文件大小

196.13 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

IRF

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 20:00:00

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IRG4BC30KD规格书详情

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

特性 Features

• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high switching speed

• tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

• This part replaces the IRGBC30KD2 and IRGBC30MD2 products

• For hints see design tip 97003

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC30KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,16A

  • 开关能量:

    600µJ(开),580µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    60ns/160ns

  • 测试条件:

    480V,16A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 28A 100W TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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