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IRG4BC30KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
IRG4BC30KD |
| 参数属性 | IRG4BC30KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 28A 100W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
196.13 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 20:00:00 |
| 人工找货 | IRG4BC30KD价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4BC30KD规格书详情
Short Circuit Rated UltraFast IGBT
特性 Features
• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high switching speed
• tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes
Benefits
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses
• This part replaces the IRGBC30KD2 and IRGBC30MD2 products
• For hints see design tip 97003
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC30KDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,16A
- 开关能量:
600µJ(开),580µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
60ns/160ns
- 测试条件:
480V,16A,23 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 28A 100W TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
NS |
21+ |
TO-220 |
1609 |
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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24+ |
TO-220 |
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IR |
21+ |
TO-220 |
30000 |
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原厂原装 |
7956 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
TO-263 |
6400 |
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询价 |

