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IRG4BC10UD	文件：184.74 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A) UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating upto80kHzinhardswitching,>200kHzin resonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousGeneration •IGBTco-packagedwith	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10UDPBF	文件：323.01 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISROT WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10UDPBF	文件：323.97 Kbytes Page：11 Pages	INDUSTRY STANDARD TO-220AB PACKAGE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10UDPBF_15	文件：323.97 Kbytes Page：11 Pages	INDUSTRY STANDARD TO-220AB PACKAGE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10UDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 8.5A 38W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10K	文件：158.6 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedUltraFastIGBT ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Bene	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10KD	文件：210.57 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10KDPBF	文件：265.66 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10KDPBF	文件：274.8 Kbytes Page：11 Pages	Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10KDPBF	文件：274.8 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedw	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10KPBF	文件：274.8 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedw	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10S	文件：157.04 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop;1.1Vtypicalat2A •S-Speed:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives,upto2KHzinChopperApplications •VeryTightVce(on)distribution •IndustrystandardTO-220ABpackage Benef	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10SD	文件：313.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE StandardSpeedCoPackIGBT Features •Extremelylowvoltagedrop1.1Vtyp.@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-so	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10SD-L	文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10SD-L	文件：217.89 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10SD-LPBF	文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10SDPBF	文件：267.75 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE StandardSpeedCoPackIGBT Features •Extremelylowvoltagedrop1.1Vtyp.@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-so	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10SD-S	文件：217.89 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10SD-S	文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC10SD-SPBF	文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IRG4BC10UD
制造商：
International Rectifier
功能描述：
SEMICONDUCTOR((NS))

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