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IRG4BC20SD	文件：287.8 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A) Features • Extremely low voltage drop 1.4Vtyp. @ 10A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Very Tight Vce(on) distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-para 文件：287.8 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20SDPBF	文件：325.61 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Extremely low voltage drop 1.4Vtyp. @ 10A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Very Tight Vce(on) distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel dio 文件：325.61 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20SDS	文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A) 文件：382.72 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20SD-S	文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A) 文件：382.72 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20SD-SPBF	文件：512.049 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD 文件：512.049 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20SD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a TO-220AB package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20SD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 19A 60W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20SD-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a D2-Pak package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20SDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 19A 60W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC20SD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 15V，10A
开关能量：
320µJ（开），2.58mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
62ns/690ns
测试条件：
480V，10A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 19A 60W TO220AB

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