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IRG4BC20SD-S	文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SD-SPBF	文件：512.049 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SPBF	文件：195.96 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SPBF	文件：285.84 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20U	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Gener	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UD	文件：236.9 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDultrafast, ultra-s	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UDPBF	文件：376.69 Kbytes Page：10 Pages	ULTRAFASTCOPACKIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UDPBF	文件：351.65 Kbytes Page：11 Pages	UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFRED®ultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRG4BC20SD-S
功能描述：
IGBT W/DIODE 600V 19A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列：
-
标准包装：
30
系列：
GenX3™ IGBT
类型：
PT 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
1200V Vge,
Ic时的最大Vce（开）：
3V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
200A 功率 -
最大：
830W
输入类型：
标准
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商设备封装：
PLUS247?-3
包装：
管件

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