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IRG4BC20SD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRG4BC20SD |
| 参数属性 | IRG4BC20SD 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 19A 60W TO220AB |
| 功能描述 | 600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a TO-220AB package |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | IRG4BC20SD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4BC20SD规格书详情
简介
IRG4BC20SD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC20SD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRG4BC20SD
- 生产厂家
：Infineon
- Technology
：IGBT Gen 4
- Switching Frequency min max
：1.0kHz 1.0kHz
- Package
：TO-220
- Voltage Class max
：600.0V
- IC(@100°) max
：10.0A
- IC(@25°) max
：19.0A
- ICpuls max
：38.0A
- Ptot max
：60.0W
- VCE(sat)
：1.4V
- Eon
：0.32mJ
- Eoff(Hard Switching)
：2.58mJ
- td(on)
：62.0ns
- tr
：32.0ns
- td(off)
：690.0ns
- tf
：480.0ns
- QGate
：27.0nC
- IF max
：38.0A
- VF
：1.4V
- Qrr
：65.0nC
- Irrm
：3.5A
- Ets (max)
：2.9mJ (4.5mJ)
- VCE max
：600.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
13888 |
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询价 | ||
IR/VISHAY |
22+ |
SOT-263 |
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询价 | ||
IR |
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TO220 |
990000 |
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询价 | ||
IR |
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TO263 |
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询价 | |||
IR |
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TO-220 |
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询价 | ||
IR |
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TO-220 |
2008 |
询价 | |||
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24+ |
NA |
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IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
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IR |
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TO-220 |
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询价 | ||
IR |
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询价 |
