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IRG4BC10KD中文资料600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRG4BC10KD

参数属性

IRG4BC10KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 9A 38W TO220AB

功能描述

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package
IGBT 600V 9A 38W TO220AB

封装外壳

TO-220-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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IRG4BC10KD规格书详情

描述 Description

600V IGBT 与超快 8-25 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-220AB 封装中

特性 Features

• 对电机控制的高短路额定值优化,tsc =10µs, @360V VCE(启动),TJ=125°C, VGE=15V
• 低通态损耗与高开关速度相结合
• 相较于前代,参数分布更紧凑,效率更高
• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT
• 无铅

优势:
• 4 IGBT 提供可行的高功率密度电机控制
• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化,将噪声、EMI 和开关损耗降至最低

应用 Application

• 家用电器
• 照明氙气灯
• 冷藏
• 风扇
• 驱动器和泵
• 太阳能

简介

IRG4BC10KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由Infineon制造生产的IRG4BC10KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRG4BC10KD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-220

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :5.0A

  • IC(@25°) max

    :9.0A

  • ICpuls max

    :9.0A

  • Ptot max

    :38.0W

  • VCE(sat) 

    :2.39V 

  • Eon 

    :0.25mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.14mJ 

  • td(on) 

    :49.0ns 

  • tr 

    :28.0ns 

  • td(off) 

    :97.0ns 

  • tf 

    :140.0ns 

  • QGate 

    :19.0nC 

  • IF max

    :16.0A

  • VF 

    :1.5V 

  • Qrr 

    :40.0nC 

  • Irrm 

    :2.9A 

  • Ets  (max)

    :0.39mJ (0.48mJ)

  • VCE max

    :600.0V

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