选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
2008 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IRTO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
13888 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IR原厂封装 |
53 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
12000 |
1305+ |
公司特价原装现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
35890 |
23+ |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
4675 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220AB |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-220AB |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-220AB |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
IRG4BC20SD采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRG4BC20SD图片
IRG4BC20SD-SPBF价格
IRG4BC20SD-SPBF价格:¥4.4084品牌:INTERNATIONAL RECTIFIER
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IRG4BC20SD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC20SD功能描述:IGBT W/DIODE 600V 19A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20SDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC20SDS制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRG4BC20SD-S功能描述:IGBT W/DIODE 600V 19A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20SD-SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC20SD
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.6V @ 15V,10A
- 开关能量:
320µJ(开),2.58mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
62ns/690ns
- 测试条件:
480V,10A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 19A 60W TO220AB