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IRG4BC10SD-L数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRG4BC10SD-L

参数属性

IRG4BC10SD-L 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A 38W TO262

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IGBT 600V 14A 38W TO262

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:43:00

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IRG4BC10SD-L规格书详情

描述 Description

Standard Speed CoPack IGBT

特性 Features

• Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A
• S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives.
• Very Tight Vce(on) distribution
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard D2Pak & TO-262 packagesBenefits
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies available
• IGBT's optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBT's. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Lower losses than MOSFET's conduction and Diode losses 

简介

IRG4BC10SD-L属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC10SD-L晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IRG4BC10SD-L

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,8A

  • 开关能量:

    310µJ(开),3.28mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    76ns/815ns

  • 测试条件:

    480V,8A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 38W TO262

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