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IRG4BC10SD-L	文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC10SD-L	文件：217.89 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC10SD-L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 38W TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC10SD-LPBF	文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC10SD-LPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 38W TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC10SDPBF	文件：267.75 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE StandardSpeedCoPackIGBT Features •Extremelylowvoltagedrop1.1Vtyp.@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-so	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC10SD-S	文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A)	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC10SD-SPBF	文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC10SPBF	文件：266.81 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Extremelylowvoltagedrop;1.1Vtypicalat2A •S-Speed:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives,upto2KHzinChopperApplications •VeryTightVce(on)distribution •IndustrystandardTO-220ABpackage •	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4BC10SD-L
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，8A
开关能量：
310µJ（开），3.28mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
76ns/815ns
测试条件：
480V，8A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：
TO-262
描述：
IGBT 600V 14A 38W TO262

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