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IRG4BC10SD-L	文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) 文件：217.3 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4BC10SD-L	文件：217.89 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：217.89 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4BC10SD-LPBF	文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：313.31 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4BC10SD-L	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Standard Speed CoPack IGBT • Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A\n• S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives.\n• Very Tight Vce(on) distribution\n• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use i;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC10SD-L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 38W TO262	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC10SD-LPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 38W TO262	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC10SD-L
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，8A
开关能量：
310µJ（开），3.28mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
76ns/815ns
测试条件：
480V，8A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：
TO-262
描述：
IGBT 600V 14A 38W TO262

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