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IRG4BC10SD-L分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4BC10SD-L
厂商型号

IRG4BC10SD-L

参数属性

IRG4BC10SD-L 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A 38W TO262

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

文件大小

217.3 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 23:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC10SD-L

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,8A

  • 开关能量:

    310µJ(开),3.28mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    76ns/815ns

  • 测试条件:

    480V,8A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 38W TO262

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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