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IRG4BC10KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4BC10KD |
| 参数属性 | IRG4BC10KD 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 9A 38W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
210.57 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-4 23:00:00 |
| 人工找货 | IRG4BC10KD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4BC10KD规格书详情
Short Circuit Rated UltraFast IGBT
Features
• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high switching speed
• Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes
Benefits
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC10KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.62V @ 15V，5A
- 开关能量：
250µJ（开），140µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
49ns/97ns
- 测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 9A 38W TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3358 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
12 |
TO-220 |
49 |
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IR |
23+ |
TO-220AB |
8600 |
全新原装现货 |
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IR |
22+ |
TO220 |
20000 |
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IR |
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TO220 |
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IR |
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TO220 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
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ir |
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IR |
TO-220 |
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询价 | |||
IR |
24+ |
TO-220 |
35450 |
询价 |
