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IRG4BC20SDPBF中文资料PDF规格书
厂商型号 |
IRG4BC20SDPBF |
参数属性 | IRG4BC20SDPBF 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 19A 60W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
文件大小 |
325.61 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-27 22:30:00 |
IRG4BC20SDPBF规格书详情
Features
• Extremely low voltage drop 1.4Vtyp. @ 10A
• S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives.
• Very Tight Vce(on) distribution
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard TO-220AB package
• Lead-Free
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Lower losses than MOSFETs conduction and Diode losses
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC20SDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.6V @ 15V,10A
- 开关能量:
320µJ(开),2.58mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
62ns/690ns
- 测试条件:
480V,10A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 19A 60W TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO220AB |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220AB |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
IR |
12+ |
TO-220 |
2008 |
询价 | |||
IR |
22+/23+ |
TO-220 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
IR |
12+ |
TO-220 |
2008 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
22+23+ |
TO-220 |
28954 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
4508 |
原厂原装正品 |
询价 |