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IRG4BC20WPBF	文件：209.42 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design and c 文件：209.42 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20WPBF	文件：284.16 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：284.16 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20WPBF_15	文件：284.16 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：284.16 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20WPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 13A 60W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC20WPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，6.5A
开关能量：
60µJ（开），80µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/110ns
测试条件：
480V，6.5A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 13A 60W TO220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRG4BC20WPBF供应商更新时间2025-12-19 23:01:00

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