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IRG4BC20WPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc | IRF International Rectifier | IRF | |
IRG4BC20WPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR | IRF International Rectifier | IRF | |
IRG4BC20WPBF | Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 13A 60W TO220AB | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR | IRF International Rectifier | IRF | ||
IR | IR |
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC20WPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,6.5A
- 开关能量:
60µJ(开),80µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
22ns/110ns
- 测试条件:
480V,6.5A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 13A 60W TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220 |
942 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
65400 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-220 |
52 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
402 |
询价 | |||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
12000 |
VISHAY专营进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
1950+ |
TO-220 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
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