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IRG4BC40F	文件：167.96 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera 文件：167.96 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40FPBF	文件：260.22 Kbytes Page：8 Pages	Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT Benefits • Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available • IGBTs optimized for specified application conditions • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard s 文件：260.22 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40F	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 快速 1-8 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC40FPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 49A 160W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-220
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
27.0A
IC(@25°) max：
49.0A
ICpuls max：
196.0A
Ptot max：
160.0W
VCE(sat) ：
1.5V
Eon ：
0.37mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.81mJ
td(on) ：
25.0ns
tr ：
21.0ns
td(off) ：
380.0ns
tf ：
310.0ns
QGate ：
120.0nC
Ets (max)：
2.18mJ (2.8mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

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