IRG4BC40F数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRG4BC40F |
参数属性 | IRG4BC40F 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 49A 160W TO220AB |
功能描述 | 600V 快速 1-8 kHz 分立 IGBT,采用 TO-220AB 封装 |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 23:01:00 |
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IRG4BC40F规格书详情
简介
IRG4BC40F属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC40F晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRG4BC40F
- 生产厂家
:Infineon
- Technology
:IGBT Gen 4
- Switching Frequency min max
:8.0kHz 30.0kHz
- Package
:TO-220
- Voltage Class max
:600.0V
- IC(@100°) max
:27.0A
- IC(@25°) max
:49.0A
- ICpuls max
:196.0A
- Ptot max
:160.0W
- VCE(sat)
:1.5V
- Eon
:0.37mJ
- Eoff(Hard Switching)
:1.81mJ
- td(on)
:25.0ns
- tr
:21.0ns
- td(off)
:380.0ns
- tf
:310.0ns
- QGate
:120.0nC
- Ets (max)
:2.18mJ (2.8mJ)
- Switching Frequency
:Gen 4 8-30 kHz
- VCE max
:600.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
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