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IRG4BC40F数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRG4BC40F

参数属性

IRG4BC40F 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 49A 160W TO220AB

功能描述

600V 快速 1-8 kHz 分立 IGBT,采用 TO-220AB 封装
IGBT 600V 49A 160W TO220AB

封装外壳

TO-220-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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IRG4BC40F规格书详情

简介

IRG4BC40F属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC40F晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRG4BC40F

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-220

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :27.0A

  • IC(@25°) max

    :49.0A

  • ICpuls max

    :196.0A

  • Ptot max

    :160.0W

  • VCE(sat) 

    :1.5V 

  • Eon 

    :0.37mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :1.81mJ 

  • td(on) 

    :25.0ns 

  • tr 

    :21.0ns 

  • td(off) 

    :380.0ns 

  • tf 

    :310.0ns 

  • QGate 

    :120.0nC 

  • Ets  (max)

    :2.18mJ (2.8mJ)

  • Switching Frequency 

    :Gen 4 8-30 kHz

  • VCE max

    :600.0V

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