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IRG4BC30K-SPBF中文资料INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRG4BC30K-SPBF

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 10:20:00

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技术参数

  • 型号:

    IRG4BC30K-SPBF

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO263
5000
全现原装公司现货
询价
IR
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
询价
Infineon
22+
NA
2118
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
IR
22+
D2PAK
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
询价
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
询价
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
IR
24+
TO-263
30000
只做正品原装现货
询价
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价
IR
24+
TO-263
60000
询价
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价