IRG4BC30中文资料INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IRG4BC30 |
| 参数属性 | IRG4BC30 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 10:19:00 |
| 人工找货 | IRG4BC30价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4BC30规格书详情
简介
IRG4BC30属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC30晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRG4BC30FD1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
- 开关能量：
370µJ（开），1.42mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/250ns
- 测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
询价 | |||
Infineon |
1931+ |
N/A |
1618 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TO-220(TO-220-3) |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
08+ |
700 |
普通 |
询价 | |||
IR |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3561 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
IR |
25+ |
8880 |
原装认准芯泽盛世！ |
询价 |
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